几纳秒联富配资。”这是创始人兼 CEO 在谈到中美芯片差距时抛出的数字。
他在一档节目中公开抱怨：有人说中国制造不出AI芯片，甚至有人说中国没有制造能力，还有人说中国芯片落后美国两三年，这些都很荒谬。拜托！中国现在只差我们几纳秒！
几纳秒是个什么概念？
这是一个在物理世界里几乎无法察觉的时间单位，既指时间上的微小差距，也暗合芯片制造的纳米级竞争。
他特意驳斥了“中国造不出AI芯片”的说法，算是承认中国在这领域的进步，尤其是昇腾这类产品，在特定场景的处理能力已经很接近英伟达了。
尽管我们很自豪在芯片产业上取得的成就，但是对于黄仁勋这番场面话，我们不可当真，起码就先进芯片的设计、生产来说，中国大陆仍然落后于美国。
项立刚就表示，中国先进制程芯片因为代工能力不足，还远没有到了要赶上美国的程度，我们在生态链和生产制造领域还需要努力，需要尽快赶上。差距不是几纳秒，我看还有2-3年的差距。
评论员黄雪松认为，黄仁勋表述的是一种很快被赶上、被超越的极其焦虑与不安心态。而不是真正意义上的技术差距。
黄仁勋这番话，本质是说给白宫听的，因为美国的管制短期内确实切断了高端 GPU 的流向，但随之而来的，是美国企业在中国市场的受挫，尤其是英伟达在其中损失巨大。
H20是英伟达是遵守美国的出口管制而专为中国市场设计的“减配版”AI芯片，性能仅为旗舰产品H100的15%-30%，基于英伟达较旧的Hopper架构。
不过，面对美国的打压联富配资，中国企业正努力推出可以替代英伟达的国产AI芯片，例如，华为上周公布了昇腾AI芯片未来三年的产品迭代路线图，通过“超节点+集群”的算力解决方案，以集成的方式满足持续增长的算力需求。
《南华早报》指出，阿里、腾讯、百度和字节跳动等互联网巨头，也都加大对芯片研发和设计的投入，争取在供应链上获得更大的自主可控能力。
英伟达为合规推出的 H20、RTX6000D，本意是填补空白，结果却遭遇中国客户冷遇。路透社披露，多家大客户直接拒单，原因很简单：花大价钱买一颗“阉割版”芯片，不如加速押注国产替代。
面对这种情况，黄仁勋在传递警告：美国必须面对一个快速崛起的中国市场，放宽出口限制，允许美国企业参与中国竞争，才能维持自身优势。如果美国科技公司在中国市场受阻，技术扩散将受限，经济成就和地缘政治影响力也将被压缩。这不仅是生意问题，更是战略问题。
需要承认，中国芯片发展已经超出美国预期，从2022年还进口芯片2.76万亿，到第二年就断崖式降至3500多万……从全方位封锁到绝地重生，呈现出爆发式成长，自主化率从6年前的32%，猛增至80%。这个过程，无人知道中国芯片产业经历多么艰难的自主突破的至暗时刻。
数据显示到2025年一季度，中国芯片领域的风险投资激增300%。中国人用智慧、斥巨资、打出了自己的一片天。
中芯国际不用顶级设备，靠着技术优化把7纳米芯片的合格产品比例提了不少，但我们的短板还很明显。全球最先进的芯片已经能做到极精细的程度，我们的7纳米芯片在耗电和合格比例上还有差距。软件生态更是难啃的骨头。华为的昇腾910C正在放量，性能在中国是最顶级，业界推算可达H100的七成算力，但是华为GPU的生态落后，光靠硬件猛干，难以闭环。
英伟达的H100、H200到Blackwell时代，硬件、CUDA、开发者生态，依然是英伟达的铁三角，是它不可逾越的护城河，在全球的大模型训练领域处于霸权地位。英伟达的配套软件体系太成熟，国产平台的适配还有很长的路要走。
芯片制造最关键的是光刻机的突破，中国大陆最先进的芯片制造工厂是中芯国际，但目前还没有EUV光刻机加持，摸索生产出7纳米制程的芯片，是实打实的工程突破，都是在现有条件下硬啃出来的，良率与产能的爬坡能力在提升。但与台积电3纳米制程的工艺相比，差距依旧不小。
说到底，中国在芯片设计上确实追得很快，细分领域已经能和国际巨头掰手腕，但核心在于缺一台EUV光刻机。
这些事实，我们也看得很清楚，咱们必须要承认在芯片领域，目前我们就是落后于美国的，差距是客观存在的，黄仁勋说的“几纳秒”，只是站在生意人的利益与立场角度说话，只是一种商业话术。
半导体领域不仅技术含量极高，而且还有诸多细分环境，上游包括EDA软件/IP模块、半导体设备与材料，中游是芯片设计、制造、封装和测试；下游是各类电子产品，涉及大量材料、化学试剂、特种气体、设备与配件等。
当下中国芯片上下游的门类已经接近齐全，产业链很多公司都已经做的不错，但还没到终局，因为芯片制造从7nm到5nm、3nm，关键不在于芯片设计，关键在于制造尖端芯片的底层制造设备——EUV光刻机没有完全突破，这是工业科技上的真正皇冠。根据台湾资深芯片专家的表述是，中国突破EUV光刻机时机已经成熟，台积电芯片制造设备，力机电、联电所拥有的矽片制造、日月光所做的封装测试，这三个大类以及众多小类，中国门类已经齐全。
值得一提的是，EUV光刻机的核心技术在于光源技术，在EUV光刻机的光源技术上，哈工大与国仪超精密集团共建的11亿元产线已试运行，稳定输出的30瓦功率，虽然与ASML的商用标准尚有差距，但已足够支撑原型机通过关键测试。第二十五届中国国际工业博览会中，上海微电子首次公开亮相极紫外(EUV)光刻机参数图。这意味着这说明EUV光刻机从0到1”的概念设计阶段已经完成。
下一步将进入到了系统设计和集成验证阶段。这才是美国芯片行业真正担心的。
当黄仁勋说“中国芯片仅落后美国几纳秒”时，他既是在承认现实的变化，也是在暗示未来的格局——差距存在，但并非不可跨越，中国芯片要完全消除代差、取而代之，是时间问题，但核心还在于光刻机等芯片制造设备的突破，我们的国产浸润式DUV光刻机或已有了进展，但制造7nm以下先进制程的EUV依然是要突破的难点，目前我们从设备、材料、设计、代工到封装整机，都在全链条式发展，但核心在于缺一台国产EUV。
从一张“参数图”到一台能稳定量产的EUV光刻机，中间隔着三座天堑，光源，光学系统，双工件平台。将所有核心子系统——光源、光学镜头、双工件台协同起来，使其在纳米级精度下稳定、高效地运行，才是真正的“珠穆朗玛峰”工程。一台ASML的EUV系统由超过45万个零件组成，总重量达17吨，光路总长度可能超过500米 。这需要解决无数的集成、可靠性和良品率问题，这一过程耗费了ASML及其合作伙伴数十年的时间和数百亿美元的投资 。
可见，虽然EUV光刻机已经在路上，但是并不意味着，这条路容易走，且能很快到达。
一旦这一天到来，从中芯国际到寒武纪等国产芯片上下游企业都将迎来爆发式增长拐点，彼时，我们才能有底气谈真正的超越，不过，从种种信号来看，这一天已越来越近了。
作者：王新喜 TMT资深评论人 本文未经许可谢绝转载
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